碳化硅（SiC）是共價鍵化合物，其晶體是由二維密排Si層和C層交互排列，在第三方向上無限堆砌而成。由于堆砌的順序變化萬端，致使SiC的晶體結(jié)構(gòu)也紛繁復(fù)雜。但所有晶型都包含SiC4或CSi4正四面體在三維空間密排這樣的基本特點，這決定了SiC晶體高溫半導(dǎo)體屬性。但是，令人遺憾的是，SiC晶體的生長至今還是甚為困難的事，而多晶SiC粉體的半導(dǎo)體屬性又很難發(fā)揮。然而，近數(shù)十年來，納米SiC，尤其是納米SiC的棒、棱柱和它們的陣列的氣固相反應(yīng)制備不斷取得成功，多種形貌納米SiC展現(xiàn)獨特的半導(dǎo)體、光學(xué)、力學(xué)和其它物理性能，開始引人矚目。我院潘頤教授和他的博士生吳仁兵（現(xiàn)為新加坡南洋理工大學(xué)訪問學(xué)者），在多年從事納米SiC制備、結(jié)構(gòu)和性能研究的基礎(chǔ)上，結(jié)合調(diào)研和查閱380篇文獻(xiàn)，與新加坡南洋理工大學(xué)合作，撰寫題為 “Recent Progress in Synthesis, Properties and Potential Applications of SiC Nanomaterials”的綜述文章，在Progress in Materials Science 72 (2015)上發(fā)表。該雜志2014年影響因子是25.87,是材料科學(xué)研究領(lǐng)域重要學(xué)術(shù)期刊。論文連接：http://authors.elsevier.com/a/1QerII6ytqCkL
