學(xué)術(shù)報告201836-關(guān)于Kazuo Nakajima“新型硅單晶鑄造法”系列學(xué)術(shù)講座第三講的通知

報告題目: Growth of high-quality Si ingots for solar cells using the noncontact crucible method

報告人: Kazuo Nakajima

報告時間: 2018年10月22日下午2點(diǎn)（第三講）

報告地點(diǎn): 浙江大學(xué)玉泉校區(qū)硅材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室1號樓104會議室

邀請人: 楊德仁院士

報告摘要:

1.ConceptoftheHPcastmethod

2.Conceptofthemono-likecastmethod

3.TriggerforthedevelopmentoftheNOCmethod

4.GrowthofSiingotsusingSi3N4coatedcruciblesbytheNOCmethod

5.RelationshipbetweenΔTandthelow-temperatureregion

6.GrowthofSisingleingotsusingtheNOCmethod

7.DislocationsinSisingleingotsgrownbytheNOCmethod

8.ImpuritiesinSisingleingotsgrownbytheNOCmethod

9.PerformanceofsolarcellspreparedbytheNOCmethod