氮化物半導(dǎo)體外延調(diào)控及其光電器件
時間：2019年4月15日（星期一），下午15：15
地點：浙江大學(xué)玉泉校區(qū)硅材料國家重點實驗室1號樓會議室
報告人：王新強教授
邀請人：楊德仁院士
報告人簡介：北京大學(xué)物理學(xué)院教授，教育部長江特聘教授，國家杰出青年基金獲得者，萬人計劃中青年領(lǐng)軍人才，現(xiàn)任北京大學(xué)東莞光電研究院院長，人工微結(jié)構(gòu)和介觀物理國家重點實驗室副主任，北京大學(xué)人事部副部長，物理學(xué)院院長助理。分別于1996和2002年在吉林大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院獲得學(xué)士和博士學(xué)位，2002-2008年在日本千葉大學(xué)和日本科學(xué)技術(shù)振興機構(gòu)進行研究工作，2008年由百人計劃加入到北京大學(xué)物理學(xué)院工作。主要從事寬禁帶半導(dǎo)體材料、物理與器件研究，發(fā)表SCI論文160余篇，SCI引用逾2500次，在國內(nèi)外學(xué)術(shù)會議上做邀請報告30余次，擔任Elsevier出版社“Superlattices and Microstructures”編輯，NPG出版社“Scientific Reports”和Wiley出版社Physica Status Solidi系列編委。
報告摘要：近二十年來，III族氮化物半導(dǎo)體材料以其寬帶寬覆蓋范圍、強極化、抗輻照等多項優(yōu)異的材料性能在半導(dǎo)體照明、微波通訊和電力電子等領(lǐng)域取得重要的研究進展，并實現(xiàn)了巨大的市場價值。材料是基礎(chǔ)，而精確的外延控制是實現(xiàn)高質(zhì)量材料的關(guān)鍵，尤其是原子層級上的外延控制更是實現(xiàn)高質(zhì)量量子結(jié)構(gòu)的前提。本報告從原子層外延調(diào)控出發(fā)，主要匯報InGaN單原子層面內(nèi)原子的規(guī)則排列及其單光子源，基于GaN超薄量子結(jié)構(gòu)的電子束泵浦紫外光源和藍寶石襯底上GaN基共振隧穿二極管（RTD）等近期開展的研究工作。
