寬禁帶氧化物半導體材料、物性與器件應用
時間：2019年4月15日（星期一），下午14：00
地點：浙江大學玉泉校區(qū)硅材料國家重點實驗室1號樓會議室
報告人：顧書林教授
邀請人：楊德仁院士
報告人簡介：南京大學電子科學與工程學院教授、理學博士、博士生導師。國家杰出青年基金獲得者，南京大學特聘教授。長期從事半導體異質(zhì)結構材料與器件應用方面的研究工作，近幾年主要從事寬禁帶半導體材料與器件方面的研究工作,在寬禁帶氧化物半導體材料生長設備研制、外延生長技術與原位摻雜、材料物理與新型器件探索等方面取得了系列創(chuàng)新研究成果。主持國家自然科學基金重大項目課題、國家“863”計劃、國家“973”計劃課題以及其他科研項目十多項。發(fā)表SCI學術論文270多篇,被SCI他引2800多次。參編兩本半導體材料專著，獲授權發(fā)明專利10多項。先后獲國家技術發(fā)明三等獎、江蘇省科技進步一等獎和國家自然科學二等獎以及教育部自然科學一等獎、江蘇省青年科學家獎等多項獎勵。
報告摘要：氧化鋅具有極其優(yōu)越的光電性能，特別是具有高達60 meV的激子束縛能，被認為是實現(xiàn)高性能紫外發(fā)光器件的優(yōu)選材料，一度與氮化鎵一樣成為寬禁帶半導體的代表之一。但氧化鋅p型摻雜的嚴重技術困難阻礙了氧化鋅材料的進一步發(fā)展及其光電器件的應用。另一方面，氧化鎵半導體具有極大的反向飽和擊穿場強和很高的巴利加品質(zhì)因子，其優(yōu)異的光電性能使其成為日盲紫外探測器件與功率器件的優(yōu)選材料。目前國際上已形成氧化鎵材料與器件的研究熱潮，氧化鎵亦已取代氧化鋅成為氧化物半導體在寬禁帶半導體中新的代表。本報告將從氧化物半導體的本征與共性特征出發(fā)對制約氧化鋅半導體材料與器件的p型摻雜這一重大科學問題與技術難題進行深入的分析與探究，提出未來氧化物半導體材料與器件發(fā)展的可能技術途徑與研究策略。報告將重點介紹近年來南京大學課題組為此在寬禁帶氧化物半導體領域所進行的嘗試與努力，特別是在氧化鋅中的雜質(zhì)缺陷行為與摻雜補償調(diào)控、氧化鋅基復合結構與器件應用、氧化鎵基薄膜材料生長調(diào)控與肖特基二極管以及光電器件研制等方面的研究進展。
